IPC H01L21/302 專利列表
共 76 筆結果
涉及微電子、光電或光學之有效層轉移之基板或基板上組件製造方法
斯歐埃技術公司
案號 0931067892004-03-12IPC H01L21/302
基板處理裝置及裝置的製造方法
日商國際電氣股份有限公司
案號 0931056442004-03-04IPC H01L21/302
ＩＩＩ-Ｖ族半導體之選擇性蝕刻方法及溶液
王永和
案號 0931050992004-02-27IPC H01L21/302
藉由局部晶圓溫度控制以跨越一晶圓作臨界大小變異補償
藍姆研究公司
案號 0931051822004-02-27IPC H01L21/302
半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置
東芝股份有限公司
案號 0931046232004-02-24IPC H01L21/302
於圖案化介電層上電鍍銅以增進後續化學機械研磨製程之製程均勻性的方法與針對化學機械研磨製程決定金屬層的最佳表面粗糙度的方法
格羅方德半導體公司
案號 0931038772004-02-18IPC H01L21/302
製造一半導體元件之方法
恩智浦美國公司
案號 0931039072004-02-18IPC H01L21/302
電漿處理裝置、環構件及電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931029272004-02-09IPC H01L21/302
基板之切割方法
奇美電子股份有限公司
案號 0931023452004-02-02IPC H01L21/302
絕緣矽基板之加工方法
迪思科股份有限公司
案號 0931018912004-01-20IPC H01L21/302
晶圓切割區中之金屬減少
恩智浦美國公司
案號 0931009112004-01-14IPC H01L21/302
搭載透明基板之晶圓切割方法
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0931007582004-01-13IPC H01L21/302
半導體基板用清洗液
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921375912003-12-31IPC H01L21/302
凸塊化晶圓之晶背研磨製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921372022003-12-26IPC H01L21/302
平坦化電鍍金屬層與鑲嵌結構的製備方法以及金屬電鍍組成物
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921370292003-12-26IPC H01L21/302
電漿蝕刻有機系材料膜之方法及裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0921371212003-12-26IPC H01L21/302
半導體晶圓之蝕刻方法及半導體晶圓之蝕刻裝置
東芝股份有限公司
案號 0921368522003-12-25IPC H01L21/302
用以製造半導體裝置之裝置隔離膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921367142003-12-24IPC H01L21/302
用以使電容耦合電漿增強並局部化之方法、設備及磁鐵組件
東京威力科創股份有限公司
案號 0921361512003-12-19IPC H01L21/302
使用半導體及光學材料化學及機械平面化及拋光多成份懸浮研磨劑之方法
康寧公司
案號 0921347632003-12-08IPC H01L21/302