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SiO2膜及具有高電容率之薄膜用蝕刻劑組成物及蝕刻方法

三菱瓦斯化學股份有限公司

申請案號
093108051
公告號
200506098
申請日期
2004-03-25
申請人
三菱瓦斯化學股份有限公司
發明人
山田健二
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

C23F1/10
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SiO2膜及具有高電容率之薄膜用蝕刻劑組成物及蝕刻方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通