IP

IPC C23F1/10 專利列表

共 2 筆結果

SiO2膜及具有高電容率之薄膜用蝕刻劑組成物及蝕刻方法

三菱瓦斯化學股份有限公司

案號 0931080512004-03-25IPC C23F1/10

用於氧化鈦表面之蝕刻膏

麥克專利有限公司

案號 0921232222003-08-22IPC C23F1/10

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。