IPC C23C14/34 專利列表
共 52 筆結果
織布濺鍍裝置
和立聯合科技股份有限公司
案號 0931068262004-03-15IPC C23C14/34
用於物理汽相沈積室內之線圈構造及形成線圈構造之方法
哈尼威爾國際公司
案號 0931051722004-02-27IPC C23C14/34
形成濺鍍靶材總成之方法及由該方法所製成之濺鍍靶材總成
客寶公司
案號 0931046462004-02-24IPC C23C14/34
濺鍍裝置
ＣＹＧ技術研究所股份有限公司
案號 0931028872004-02-09IPC C23C14/34
濺鍍方法和濺鍍裝置
高橋信行
案號 0931027092004-02-06IPC C23C14/34
濺鍍靶及其製造方法
ＪＸ日鑛日石金屬股份有限公司
案號 0931026282004-02-05IPC C23C14/34
藉使用催化劑之無電沈積於圖案化介電質上形成金屬層之方法
高級微裝置公司
案號 0931013472004-01-19IPC C23C14/34
連續濺鍍真空室系統及其操作方法
百世光電科技股份有限公司
案號 0931005022004-01-09IPC C23C14/34
沈積環及應用此沈積環之支撐裝置
茂德科技股份有限公司
案號 0931000262004-01-02IPC C23C14/34
於高密度電漿半導體處理中使用之受冷卻之沈積擋板
東京威力科創股份有限公司
案號 0921376702003-12-31IPC C23C14/34
反應式濺鍍之量子井製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921377302003-12-31IPC C23C14/34
於濺鍍金屬氣相沈積時之對凝結物施加音波串流
英特爾股份有限公司
案號 0921362702003-12-19IPC C23C14/34
透明導電膜及其成膜方法
索尼化學股份有限公司
案號 0921359282003-12-18IPC C23C14/34
Ag合金反射膜及Ag合金反射膜之製造方法
愛發科股份有限公司
案號 0921352552003-12-12IPC C23C14/34
在基材上形成壓縮α-鉭之方法及包括其之裝置
惠普研發公司
案號 0921352162003-12-12IPC C23C14/34
島狀突起修飾元件，該元件的製造方法，及包含該元件的裝置
東曹股份有限公司
案號 0921305222003-10-31IPC C23C14/34
含鎂之鈦酸鍶鋇複合薄膜以降低鈦酸鍶鋇鍍層之介電損失與漏電流及其濺鍍製作法
朱瑾
案號 0921296732003-10-24IPC C23C14/34
含碳化鎢之銅薄膜，藉以提升銅鍍層之導電性、高溫穩定性與硬度性質及其濺鍍合成之製作法
朱瑾
案號 0921296762003-10-24IPC C23C14/34
銅合金濺鍍靶
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921291142003-10-21IPC C23C14/34
製造一濺鍍標靶總成之方法及由該方法製得之總成
客寶公司
案號 0921291512003-10-21IPC C23C14/34