IPC C23C14/34 專利列表
共 52 筆結果
薄膜形成裝置及薄膜形成方法
優貝克股份有限公司
案號 0921286112003-10-15IPC C23C14/34
噴鍍沈積薄膜之均質固溶體合金
哈尼威爾國際公司
案號 0921279592003-10-08IPC C23C14/34
回復濺鍍靶之廢成份之方法
客寶公司
案號 0921274342003-10-03IPC C23C14/34
Ｇｅ-Ｃｒ合金濺鍍靶及其製造方法
ＪＸ日鑛日石金屬股份有限公司
案號 0921274142003-10-03IPC C23C14/34
用來黏結濺鍍靶材料之方法
客寶公司
案號 0921271952003-10-01IPC C23C14/34
具電弧處理之高尖峰功率電漿脈衝供應器
先驅能源工業公司
案號 0921261732003-09-23IPC C23C14/34
用於濺擊塗敷內部表面之電漿加強型同軸磁控管的方法及裝置
荷爾實驗室有限公司
案號 0921261072003-09-22IPC C23C14/34
偏壓濺鍍膜形成方法和裝置
優貝克科技股份有限公司
案號 0921247692003-09-08IPC C23C14/34
濺鍍用之陰極及其製造方法和靶
優美可材料股份有限公司
案號 0921240862003-09-01IPC C23C14/34
濺射靶及其製造方法
三井金屬礦業股份有限公司
案號 0921232322003-08-22IPC C23C14/34
鉭濺鍍靶及其製造方法
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921209602003-07-31IPC C23C14/34
製備材料晶片之裝置及方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921210532003-07-31IPC C23C14/34
單塊濺鍍靶總成
客寶公司
案號 0921197142003-07-18IPC C23C14/34
摻雜硼／碳／氮／氧之濺鍍標靶之製作
賀利氏公司
案號 0921195512003-07-17IPC C23C14/34
處理ＰＶＤ標靶結構之非濺射區域以形成顆粒陷阱之方法，以及包含沿非濺射區域突出物之ＰＶＤ標靶結構
哈尼威爾國際公司
案號 0921194262003-07-16IPC C23C14/34
銅濺射標靶及形成銅濺射標靶之方法
哈尼威爾國際公司
案號 0921194212003-07-16IPC C23C14/34
真空濺射用陰極
德克瑪奇公司
案號 0921186312003-07-08IPC C23C14/34
靶材及其製造方法
日立金屬股份有限公司
案號 0921167832003-06-20IPC C23C14/34
延展性介金屬性濺射標靶之製造
賀利氏公司
案號 0921154262003-06-06IPC C23C14/34
放電用電源、濺鍍用電源及濺鍍裝置
芝浦機械電子裝置股份有限公司
案號 0921147542003-05-30IPC C23C14/34