IPC G11C11/21 專利列表
共 11 筆結果
利用切割儲存區域以補償缺陷之半導體記憶體的裝置與方法
華邦電子股份有限公司
案號 0931031442004-02-11IPC G11C11/21
非揮發性可變電阻器、記憶體裝置及非揮發性可變電阻器之定比方法
三星電子股份有限公司
案號 0921309832003-11-05IPC G11C11/21
ＳＲＡＭ相容記憶體及其驅動方法
矽７股份有限公司
案號 0921294902003-10-23IPC G11C11/21
動態自我更新顯示器記憶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921294372003-10-23IPC G11C11/21
具有非依電性資料記憶電路之積體電路裝置
富士通半導體股份有限公司
案號 0921223832003-08-14IPC G11C11/21
開槽式介電性可重複記錄的資料儲存媒體
惠普研發公司
案號 0921206642003-07-29IPC G11C11/21
記憶體單元及記憶體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921173212003-06-25IPC G11C11/21
具放電路徑及二進二出讀取路徑之高速平面記憶體單元結構
義隆電子股份有限公司
案號 0921055602003-03-14IPC G11C11/21
具放電路徑之高速平面記憶體單元結構
義隆電子股份有限公司
案號 0921055592003-03-14IPC G11C11/21
二進二出讀取路徑之高速平面記憶體單元結構
義隆電子股份有限公司
案號 0921055582003-03-14IPC G11C11/21
邏輯運算電路及邏輯運算方法(一)
羅姆股份有限公司
案號 0921017362003-01-27IPC G11C11/21