IPC G11C11/406 專利列表
共 18 筆結果
動態半導體記憶裝置
萬國商業機器公司
案號 0931074482004-03-19IPC G11C11/406
具有先進之資料對齊電路的同步記憶體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373262003-12-29IPC G11C11/406
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921371652003-12-26IPC G11C11/406
半導體記憶元件及其驅動方法與定址方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921366882003-12-24IPC G11C11/4063
內電壓產生器
海力士半導體股份有限公司
案號 0921356682003-12-16IPC G11C11/4063
虛擬式靜態隨機存取記憶體及其資料復新方法
晶豪科技股份有限公司
案號 0921332412003-11-26IPC G11C11/406
使用ＤＲＡＭ晶胞的ＳＲＡＭ相容記憶體裝置
突破有限公司
案號 0921223052003-08-13IPC G11C11/406
半導體裝置及用以控制半導體裝置之方法
索思未來股份有限公司
案號 0921194292003-07-16IPC G11C11/406
同步ＳＲＡＭ相容記憶體及其驅動方法
突破有限公司
案號 0921168992003-06-20IPC G11C11/406
利用溫度感測調整動態隨機存取記憶體更新時間的方法與系統
華邦電子股份有限公司
案號 0921088872003-04-17IPC G11C11/406
半導體記憶體裝置及用以控制半導體記憶體裝置之方法
索思未來股份有限公司
案號 0921056572003-03-14IPC G11C11/406
輸出記憶胞元復新信號之裝置與方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921045932003-03-04IPC G11C11/406
產生記憶胞元復新信號之裝置與方法
億恆科技股份公司
案號 0921045922003-03-04IPC G11C11/406
增加半導體記憶裝置的更新週期
海力士半導體股份有限公司
案號 0921006012003-01-13IPC G11C11/406
支援Ｎ位元預取還設計及２Ｎ資料叢長度之積體電路記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921004232003-01-09IPC G11C11/4063
半導體記憶裝置及其更新控制方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911378052002-12-27IPC G11C11/406
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911374622002-12-26IPC G11C11/406
半導體記憶裝置及其測試方法與測試電路
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911359072002-12-11IPC G11C11/406