IPC G11C11/40 專利列表
共 99 筆結果
非揮發性半導體記憶裝置之資料消除方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921212672003-08-04IPC G11C11/40
半導體記憶體
索思未來股份有限公司
案號 0921208192003-07-30IPC G11C11/40
具有單一共享感應放大器之多重子陣列動態隨機存取記憶體
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921202462003-07-24IPC G11C11/401
半導體記憶體
富士通股份有限公司
案號 0921202402003-07-24IPC G11C11/409
含有主動式負載電路之積體電路記憶體裝置及相關方法
三星電子股份有限公司
案號 0921199662003-07-22IPC G11C11/40
低功率高速度靜態隨機存取記憶體
國立中山大學
案號 0921194942003-07-17IPC G11C11/40
具有自行更新裝置以減少功率耗損之半導體記憶體裝置及其運作方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194172003-07-16IPC G11C11/402
半導體裝置及用以控制半導體裝置之方法
索思未來股份有限公司
案號 0921194292003-07-16IPC G11C11/406
半導體記憶裝置
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921185782003-07-08IPC G11C11/409
半導體記憶裝置及半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921177822003-06-30IPC G11C11/40
半導體記憶裝置以及在半導體記憶裝置中記憶資訊的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921172402003-06-25IPC G11C11/407
同步ＳＲＡＭ相容記憶體及其驅動方法
突破有限公司
案號 0921168992003-06-20IPC G11C11/406
具有將並列資料轉換成串列資料的構成之半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921167602003-06-20IPC G11C11/408
延遲電路之方法及裝置
美光科技股份有限公司
案號 0921159692003-06-12IPC G11C11/4076
半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921159432003-06-12IPC G11C11/401
非依電性記憶電路及其驅動方法、以及使用該記憶電路之半導體裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921150482003-06-03IPC G11C11/40
非揮發性半導體記憶體之緊密陣列結構
恩智浦股份有限公司
案號 0921143932003-05-28IPC G11C11/40
半導體記憶體裝置及其控制方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921139862003-05-23IPC G11C11/409
具有雙記憶胞之記憶陣列
恩智浦股份有限公司
案號 0921140542003-05-23IPC G11C11/40
記憶體內建自測電路
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921133912003-05-16IPC G11C11/4078