IPC G11C11/40 專利列表
共 99 筆結果
非依電性半導體記憶體
富士通股份有限公司
案號 0921100002003-04-29IPC G11C11/401
將內建記憶體由ＲＡＭ變換成ＲＯＭ即可量產之半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921095602003-04-24IPC G11C11/401
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921094222003-04-23IPC G11C11/4074
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921092022003-04-21IPC G11C11/401
利用溫度感測調整動態隨機存取記憶體更新時間的方法與系統
華邦電子股份有限公司
案號 0921088872003-04-17IPC G11C11/406
隨著記憶電容之電容值改變之更新時脈產生裝置以及方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921088882003-04-17IPC G11C11/4076
適應式控制動態隨機存取記憶體之更新間隔的方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921088862003-04-17IPC G11C11/4072
半導體電路裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921086392003-04-15IPC G11C11/407
具備非存取時減低消耗電能之機能的半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921078712003-04-07IPC G11C11/4091
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921077292003-04-04IPC G11C11/40
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921069142003-03-27IPC G11C11/407
具有前同步信號功能之半導體記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921066392003-03-25IPC G11C11/407
單一位元線半導體記憶元件之感測電路
聯發科技股份有限公司
案號 0921064112003-03-21IPC G11C11/4091
半導體記憶體裝置及用以控制半導體記憶體裝置之方法
索思未來股份有限公司
案號 0921056572003-03-14IPC G11C11/406
輸出記憶胞元復新信號之裝置與方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921045932003-03-04IPC G11C11/406
產生記憶胞元復新信號之裝置與方法
億恆科技股份公司
案號 0921045922003-03-04IPC G11C11/406
不動作位元線漏電控制方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921045552003-03-04IPC G11C11/4078
半導體記憶裝置及其更新方法
索思未來股份有限公司
案號 0921044172003-03-03IPC G11C11/40
半導體記憶體
索思未來股份有限公司
案號 0921044062003-03-03IPC G11C11/402
具有電源供應路由以抵銷電源雜訊效應之延遲鎖定迴路之記憶體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921026572003-02-10IPC G11C11/407