IPC H01L21/203 專利列表
共 26 筆結果
真空容室組件
ＣＹＧ技術研究所股份有限公司
案號 0931079052004-03-24IPC H01L21/203
校正黃光製程的方法以及疊合記號的形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931070512004-03-17IPC H01L21/203
防止真空計腐蝕的真空製程設備與方法
矽統半導體股份有限公司
案號 0931067622004-03-12IPC H01L21/203
於基板上製作具有圖案之透明導電膜之方法
國立成功大學
案號 0931046492004-02-24IPC H01L21/203
透明電極之製作方法
國立成功大學
案號 0931017252004-01-27IPC H01L21/203
高頻電力供給裝置及電漿產生裝置
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931012222004-01-16IPC H01L21/203
物理氣相沈積製程及其設備
茂德科技股份有限公司
案號 0921355202003-12-16IPC H01L21/203
電子元件之電極蒸鍍製造裝置
蘇水祥
案號 0921334672003-11-28IPC H01L21/203
柵極裝置
聚昌科技股份有限公司
案號 0921327272003-11-21IPC H01L21/203
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921325962003-11-20IPC H01L21/203
在複合基材上之準垂直功率半導體元件
Ｓ Ｏ Ｉ Ｔ Ｅ Ｃ 矽絕緣體科技公司
案號 0921241972003-09-02IPC H01L21/203
物理氣相沉積除氣裝置與其使用方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921230682003-08-21IPC H01L21/203
離子化物理氣相沈積製程及其設備
茂德科技股份有限公司
案號 0921188262003-07-10IPC H01L21/203
砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法
國立交通大學
案號 0921179292003-07-01IPC H01L21/203
濺射標靶監視系統
塔沙ＳＭＤ公司
案號 0921159482003-06-12IPC H01L21/203
用於分離材料層之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921100842003-04-30IPC H01L21/203
半導體裝置之製造裝置及製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921071302003-03-28IPC H01L21/203
行星式剝離氣相沈積系統
費洛鐵股份有限公司
案號 0921059082003-03-18IPC H01L21/203
障蔽層及沈積障蔽層之方法
特麗康科技有限公司
案號 0921039452003-02-25IPC H01L21/203
具有改良之轉換功能的沈積阻板及在半導體處理中利用此沈積阻板點燃高密度電漿
東京威力科創股份有限公司
案號 0921035942003-02-20IPC H01L21/203