IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
雙向讀取／規劃非依電性浮動閘極記憶體晶胞及其陣列與製造方法
希里康儲存技術公司
案號 0931083902004-03-26IPC H01L21/8239
具有形成於腔穴中之浮動閘極之非依電性浮動閘極記憶體晶胞及其陣列、與製造方法
希里康儲存技術公司
案號 0931083712004-03-26IPC H01L21/8239
具有凸起的源極／汲極之半導體元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931077562004-03-23IPC H01L21/8238
瓶型溝槽之形成方法及瓶型溝槽電容器之製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931072272004-03-18IPC H01L21/8242
製造奈米尺寸電阻交叉點記憶體陣列及裝置之方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931070962004-03-17IPC H01L21/8239
記憶單元之佈局
應用智慧股份有限公司
案號 0931068122004-03-15IPC H01L21/8247
遮罩式唯讀記憶體及其製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0931067462004-03-12IPC H01L21/8246
影像感測元件及其封裝方法
鄭明德
案號 0931066622004-03-12IPC H01L21/8238
非揮發性記憶單元及其製造方法
力旺電子股份有限公司
案號 0931064292004-03-11IPC H01L21/8247
氮化鎵單晶基板及其製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0931057332004-03-04IPC H01L21/8252
金氧半導體電晶體的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931054832004-03-03IPC H01L21/8228
雙重金屬矽化閘極之金氧半電場效晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931054462004-03-02IPC H01L21/8222
半導體元件及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0931054202004-03-02IPC H01L21/8244
磁性記憶單元接合面及形成磁性記憶單元接合面之方法
矽磁系統公司
案號 0931054232004-03-02IPC H01L21/8239
磁阻式隨機存取記憶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931050822004-02-27IPC H01L21/8239
多位元非依電性記憶體裝置及其製造方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0931049202004-02-26IPC H01L21/8247
金屬／絕緣體／金屬電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931048232004-02-25IPC H01L21/8242
用以整合ＣＭＯＳ應用之多重金屬閘之系統和方法
夏普股份有限公司
案號 0931046192004-02-24IPC H01L21/8238
具單邊埋入帶之記憶體裝置的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931044072004-02-23IPC H01L21/8242
具有浮動Ｐ井的一電阻一二極體之電阻隨機存取記憶體陣列
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931044422004-02-23IPC H01L21/8242