IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
具有浮動Ｐ井的一電阻一二極體之電阻隨機存取記憶體陣列
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931044422004-02-23IPC H01L21/8242
用於電阻式隨機存取記憶體應用之銥基底上鐠鈣錳氧化物薄膜低溫處理
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931044712004-02-23IPC H01L21/8239
記憶體的製造方法及其靜電放電保護電路
旺宏電子股份有限公司
案號 0931038692004-02-18IPC H01L21/8239
快閃記憶胞的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931038662004-02-18IPC H01L21/8247
具有斜向配線之半導體積體電路裝置及其配佈方法
索思未來股份有限公司
案號 0931039582004-02-18IPC H01L21/82
快閃記憶體的源極線與快閃記憶體之製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0931034652004-02-13IPC H01L21/8247
揮發性記憶體結構及其形成方法以及溝槽電容結構及其形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931034672004-02-13IPC H01L21/8242
快閃記憶體的製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0931032792004-02-12IPC H01L21/8247
具有突出部分的浮動閘極式非揮發性記憶體
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0931033132004-02-12IPC H01L21/8246
半導體積體電路、設計半導體積體電路之方法、以及用以設計該電路之裝置
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0931032992004-02-12IPC H01L21/82
以液相沈積氧化物做為環狀氧化物之深溝槽電容器形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931029822004-02-10IPC H01L21/8242
非揮發性記憶胞的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931030032004-02-10IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931030042004-02-10IPC H01L21/8247
電晶體元件與其形成方法及互補式金氧半元件的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931029102004-02-09IPC H01L21/8238
靜態隨機存取記憶體之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931026762004-02-05IPC H01L21/8244
製造具有包括形成於彼此沈積之金屬層組中之閘極之金屬氧化物半導體的半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0931021952004-01-30IPC H01L21/8234
包含非揮發性記憶體之半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931019722004-01-29IPC H01L21/8247
具有自旋相關傳遞特性的場效電晶體以及使用此電晶體之非揮發性記憶體
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931017002004-01-27IPC H01L21/8239
奈米碳管之圖騰形成方法
東元奈米應材股份有限公司
案號 0931015562004-01-20IPC H01L21/8232
對接觸孔形成所造成損害有抗性之電荷捕捉記憶體陣列
賽普拉斯半導體公司
案號 0931013432004-01-19IPC H01L21/8229