IPC H01L27/108 專利列表
共 76 筆結果
半導體元件之電容下電極以及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921264402003-09-25IPC H01L27/108
具電容器之積體電路配置及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921261272003-09-22IPC H01L27/108
具電容器及較佳平面電晶體之積體電路排列及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921261262003-09-22IPC H01L27/108
垂直式動態隨機存取記憶體及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921259042003-09-19IPC H01L27/108
半導體基板之處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921258022003-09-18IPC H01L27/108
深溝渠式電容器及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921245532003-09-05IPC H01L27/108
半導體基板及形成於其內之半導體電路及其製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921244012003-09-03IPC H01L27/108
動態隨機存取記憶體單元陣列及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921241872003-09-02IPC H01L27/108
具有配線與電容器之半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921233982003-08-26IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
愛爾蘭商經度授權有限公司
案號 0921206882003-07-29IPC H01L27/108
使用動態門檻電壓字元線電晶體之記憶體單元
國立中山大學
案號 0921194962003-07-17IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181672003-07-03IPC H01L27/108
具記憶胞元排列之半導體記憶體
億恆科技股份公司
案號 0921182522003-07-03IPC H01L27/108
雙杯式瓶型溝渠電容結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921180322003-07-02IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921179412003-07-01IPC H01L27/108
具有折疊式閘極之溝渠電容動態隨機存取記憶體
南亞科技股份有限公司
案號 0921173162003-06-25IPC H01L27/108
具有電容器之半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921167582003-06-20IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921167692003-06-20IPC H01L27/108
具有有效率地佈局之內部連接線的半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921165042003-06-18IPC H01L27/108
一種單電晶體動態隨機存取記憶體結構、運作方法及其製造方法
楊皓然
案號 0921157862003-06-11IPC H01L27/108