IPC H01L27/108 專利列表
共 76 筆結果
一種製作動態隨機存取記憶體元件之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156122003-06-09IPC H01L27/108
增加電容值之溝槽型電容器製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146842003-05-30IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921146632003-05-30IPC H01L27/108
胞元組內記憶胞元之可變電容
億恆科技股份公司
案號 0921140992003-05-23IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921134572003-05-19IPC H01L27/108
淺溝渠隔離區與動態隨機存記憶體之結構及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921130442003-05-14IPC H01L27/108
垂直電晶體之閘極介電層與埋入帶擴散區域及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921122112003-05-05IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921122192003-05-05IPC H01L27/108
動態隨機存取記憶體之結構及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921120992003-05-02IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921089082003-04-17IPC H01L27/108
動態記憶胞元
億恆科技股份公司
案號 0921088592003-04-16IPC H01L27/108
半導體積電路及其製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921084152003-04-11IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921080862003-04-09IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921069292003-03-27IPC H01L27/108
具有增加訊號範圍之行讀出電路之互補式金氧半電晶體之影像感應器
美商豪威科技股份有限公司
案號 0921070102003-03-27IPC H01L27/108
可避免因字元線與位元線傾斜所造成之不良影響的半導體裝置
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921064542003-03-21IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921060662003-03-19IPC H01L27/108
冠狀電容及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921057792003-03-17IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
知識產權之橋一號有限責任公司
案號 0921030892003-02-14IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
知識產權之橋一號有限責任公司
案號 0921030882003-02-14IPC H01L27/108