IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
儲存多個位元之電晶體及用於製造包含該電晶體的半導體記憶體之方法
伊諾鐵克股份有限公司
案號 0921336592003-12-01IPC H01L27/10
溝渠電容之絕緣結構及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921328142003-11-21IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921327322003-11-21IPC H01L27/10
製作閘極之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921325482003-11-20IPC H01L27/108
高性能垂直式ＰＮＰ電晶體及方法
萬國商業機器公司
案號 0921325592003-11-20IPC H01L27/108
動態隨機存取記憶胞及其製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921317572003-11-13IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921318072003-11-13IPC H01L27/10
製造半導體元件的方法
富士通股份有限公司
案號 0921315462003-11-11IPC H01L27/10
具備電容器之半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921313682003-11-10IPC H01L27/10
半導體記憶裝置
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921313632003-11-10IPC H01L27/10
具有分離閘極之雙閘極半導體裝置
高級微裝置公司
案號 0921306122003-11-03IPC H01L27/102
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921302042003-10-30IPC H01L27/108
具有電容器之半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921295252003-10-24IPC H01L27/108
非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921295282003-10-24IPC H01L27/10
半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921294002003-10-23IPC H01L27/10
使用絕緣Ｐ型井電晶體排列以避免由字元線／位元線短路所引起之漏電流
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921290602003-10-20IPC H01L27/108
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921271492003-10-01IPC H01L27/108
半導體元件之電容下電極以及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921264402003-09-25IPC H01L27/108
非揮發性半導體記憶裝置
三洋電機股份有限公司
案號 0921262942003-09-24IPC H01L27/10
半導體記憶體裝置及用以配置記憶體晶胞之方法
特利尼提半導體諮詢有限公司
案號 0921264022003-09-24IPC H01L27/10