IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
具電容器及較佳平面電晶體之積體電路排列及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921261262003-09-22IPC H01L27/108
具電容器之積體電路配置及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921261272003-09-22IPC H01L27/108
垂直式動態隨機存取記憶體及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921259042003-09-19IPC H01L27/108
半導體基板之處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921258022003-09-18IPC H01L27/108
深溝渠式電容器及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921245532003-09-05IPC H01L27/108
半導體基板及形成於其內之半導體電路及其製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921244012003-09-03IPC H01L27/108
改良之深溝槽結構及具有此深溝槽結構之記憶體裝置
南亞科技股份有限公司
案號 0921242762003-09-03IPC H01L27/10
動態隨機存取記憶體單元陣列及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921241872003-09-02IPC H01L27/108
規劃熔絲用主動井偏壓電晶體
億恆科技股份公司
案號 0921238382003-08-28IPC H01L27/10
具有配線與電容器之半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921233982003-08-26IPC H01L27/108
半導體元件及製造該半導體元件之方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921224852003-08-15IPC H01L27/10
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921216292003-08-07IPC H01L27/10
非揮發性記憶裝置
佳能股份有限公司
案號 0921214972003-08-06IPC H01L27/10
半導體裝置之製造方法
愛爾蘭商經度授權有限公司
案號 0921206882003-07-29IPC H01L27/108
運用鐵電閘極場效電晶體之非揮發性記憶體
萬國商業機器公司
案號 0921197982003-07-21IPC H01L27/105
使用動態門檻電壓字元線電晶體之記憶體單元
國立中山大學
案號 0921194962003-07-17IPC H01L27/108
具記憶胞元排列之半導體記憶體
億恆科技股份公司
案號 0921182522003-07-03IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181672003-07-03IPC H01L27/108
雙杯式瓶型溝渠電容結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921180322003-07-02IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921179412003-07-01IPC H01L27/108