IPC H01L27/112 專利列表
共 32 筆結果
具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元、其製造方法以及讀取其記憶狀態之方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921030592003-02-14IPC H01L27/112
立體記憶體陣列
惠普公司
案號 0921018802003-01-28IPC H01L27/112
使用隧道接面裝置作為控制元件之記憶體結構及方法
惠普公司
案號 0921013932003-01-22IPC H01L27/112
非揮發性記憶胞結構及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921007382003-01-14IPC H01L27/112
堆疊閘極式快閃記憶體及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911364152002-12-17IPC H01L27/112
非揮發性記憶體之結構及其操作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911362492002-12-16IPC H01L27/112
具改良的資料保持之非揮發性記憶裝置及其方法
恩智浦美國公司
案號 0911359602002-12-12IPC H01L27/112
非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0911357362002-12-10IPC H01L27/112
非揮發性半導體記憶體以及其操作方法
三星電子股份有限公司
案號 0911354682002-12-06IPC H01L27/112
氮化矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911350052002-12-03IPC H01L27/112
含有二極體之罩幕式唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911330032002-11-11IPC H01L27/112
罩幕式唯讀記憶體之結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911325522002-11-05IPC H01L27/112