IPC H01L29/40 專利列表
共 14 筆結果
半導體元件之製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931072192004-03-18IPC H01L29/40
具氨處理多晶矽元件之半導體元件
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931049922004-02-26IPC H01L29/40
在多閘電晶體中形成閘極電極的結構與方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931038282004-02-17IPC H01L29/40
利用金屬閘堆疊控制之金氧半導體場效電晶體臨限電壓調諧
夏普股份有限公司
案號 0931010572004-01-15IPC H01L29/40
半導體裝置及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931006402004-01-12IPC H01L29/40
具有金屬閘極電極之半導體裝置的製造方法
英特爾股份有限公司
案號 0921362372003-12-19IPC H01L29/40
半導體裝置及使用其之顯示裝置
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921352742003-12-12IPC H01L29/40
半導體元件中形成閘電極之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331882003-11-26IPC H01L29/40
具有連結至外部組件之夾子的半導體元件
美商英飛凌科技美洲公司
案號 0921327512003-11-21IPC H01L29/40
具有電容器之半導體裝置以及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921166782003-06-19IPC H01L29/40
半導體裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0921124492003-05-07IPC H01L29/40
擴散障壁
特麗康科技有限公司
案號 0911357142002-12-10IPC H01L29/40
歐姆接觸結構及其製造方法
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
案號 0911330482002-11-11IPC H01L29/40
具有基極及集極捷接之功率放大器
Ｍ／Ａ商業科技控股公司
案號 0911324442002-11-01IPC H01L29/40