IPC H01L29/73 專利列表
共 36 筆結果
化合物半導體晶圓之製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0931046312004-02-23IPC H01L29/737
垂直電晶體之記憶裝置及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931021112004-01-30IPC H01L29/732
橫向絕緣閘雙極性電晶體結構
國立交通大學
案號 0931014372004-01-20IPC H01L29/735
磷化銦異接面雙極性電晶體層結構及其製造方法
欣迪恩科技股份有限公司
案號 0921356112003-12-16IPC H01L29/737
一種製造垂直式雙載子電晶體的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921329042003-11-24IPC H01L29/732
垂直閘極空乏單一電子電晶體
加州大學董事
案號 0921327762003-11-21IPC H01L29/732
矽鍺異質接面雙極電晶體之製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921305762003-10-31IPC H01L29/737
垂直溝槽式電晶體之絕緣結構及製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921266782003-09-26IPC H01L29/732
半導體光電晶體
財團法人工業技術研究院
案號 0921249832003-09-10IPC H01L29/737
異質接面雙極電晶體製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921246022003-09-05IPC H01L29/737
改良垂直電晶體通道之遷移率的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921231092003-08-22IPC H01L29/732
橫向電晶體
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921220822003-08-12IPC H01L29/735
一種製作垂直型電晶體埋入導電帶外擴散區的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921205572003-07-28IPC H01L29/732
縱型接合型場效電晶體、及縱型接合型場效電晶體之製造方法
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921202502003-07-24IPC H01L29/732
具有深Ｎ井區之串接二極體結構以及形成該具有深Ｎ井區之串接二極體的方法
瑞昱半導體股份有限公司
案號 0921194662003-07-16IPC H01L29/73
具有極低補償電壓和高電流增益之異質接面雙極性電晶體
國立高雄師範大學
案號 0921173382003-06-25IPC H01L29/737
異質結構場效電晶體
國立成功大學
案號 0921165752003-06-18IPC H01L29/737
高效能異質接面雙極性電晶體
華上光電股份有限公司
案號 0921146502003-05-30IPC H01L29/737
雙異質接面雙極性電晶體
華上光電股份有限公司
案號 0921146462003-05-30IPC H01L29/737
製造矽鍺異質接面雙極電晶體之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921144122003-05-28IPC H01L29/737