IPC H01L29/788 專利列表
共 13 筆結果
自對準閘極及其形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931082472004-03-26IPC H01L29/788
形成非揮發性記憶元件的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372612003-12-29IPC H01L29/788
半導體元件及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921356422003-12-16IPC H01L29/788
半導體記憶裝置
東芝股份有限公司
案號 0921313992003-11-10IPC H01L29/788
記憶體晶胞絲狀電極及其方法
惠普研發公司
案號 0921274552003-10-03IPC H01L29/788
多位元堆疊式非揮發記憶體及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921170912003-06-24IPC H01L29/788
具多晶矽間隔物之快閃記憶體裝置及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921140212003-05-23IPC H01L29/788
多層記憶體元件之程式設計方法
亞特米斯購併有限公司
案號 0921138502003-05-22IPC H01L29/788
半導體元件之輕摻雜汲極的製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921131802003-05-15IPC H01L29/788
具有增加耦合比率之浮動閘極記憶體
恩智浦股份有限公司
案號 0921122302003-05-05IPC H01L29/788
半導體裝置及其製造方法（二）
富士通半導體股份有限公司
案號 0921089462003-04-17IPC H01L29/788
半導體積體電路裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921086622003-04-15IPC H01L29/788
浮置閘極記憶胞及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921068472003-03-26IPC H01L29/788