IPC H01L29/78 專利列表
共 263 筆結果
矽薄膜半導體及製造方法及顯示器銀幕
康寧公司
案號 0921264932003-09-24IPC H01L29/786
具有鎳鍺矽化物閘極之金氧半導體場效電晶體及其形成方法
高級微裝置公司
案號 0921258712003-09-19IPC H01L29/78
薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921258152003-09-18IPC H01L29/786
控制薄膜電晶體及其製造方法與含其之電致發光顯示裝置
友達光電股份有限公司
案號 0921257042003-09-18IPC H01L29/786
非揮發性半導體記憶體
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921257482003-09-18IPC H01L29/78
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921258052003-09-18IPC H01L29/78
半導體裝置、半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921256262003-09-17IPC H01L29/78
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921256632003-09-17IPC H01L29/78
場發射顯示器之薄膜電晶體結構
財團法人工業技術研究院
案號 0921253942003-09-15IPC H01L29/786
具自行對準內閘極之薄膜電晶體結構
統寶光電股份有限公司
案號 0921254062003-09-15IPC H01L29/786
製作互補式薄膜電晶體的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921254042003-09-15IPC H01L29/786
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921249912003-09-10IPC H01L29/78
半導體元件、半導體元件製造與評估方法，以及處理條件評估方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921248802003-09-09IPC H01L29/78
具區域源極／汲極絕緣之場效應電晶體及其製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921244032003-09-03IPC H01L29/78
半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造系統
三洋電機股份有限公司
案號 0921241632003-09-02IPC H01L29/786
半導體裝置之製造方法
三洋電機股份有限公司
案號 0921238832003-08-29IPC H01L29/786
具有異向性高電介值閘極電介構造之電晶體元件
格羅方德半導體公司
案號 0921238892003-08-29IPC H01L29/78
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921234212003-08-26IPC H01L29/78
具雙操作區域之積體場效應電晶體、此場效應電晶體之應用及製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921232402003-08-22IPC H01L29/78
製造薄膜電晶體面板之方法
奇美電子股份有限公司
案號 0921229212003-08-20IPC H01L29/786