IPC C23C16/513 專利列表
共 10 筆結果
經氫化之矽氧碳化物薄膜之製法
道康寧公司
案號 0931017502004-01-27IPC C23C16/513
應用多孔側噴嘴之高密度電漿化學氣相沉積室
應用材料股份有限公司
案號 0931008802004-01-14IPC C23C16/513
奈米多孔性半導體薄膜的製作方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921368222003-12-25IPC C23C16/513
以金奈米粒子輔助成長半導體量子點的製作方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921368232003-12-25IPC C23C16/513
高密度電漿化學氣相沈積製程
華邦電子股份有限公司
案號 0921322262003-11-18IPC C23C16/513
原子層沈積法
美光科技公司
案號 0921315252003-11-11IPC C23C16/513
薄膜形成裝置及方法
日新電機股份有限公司
案號 0921255092003-09-16IPC C23C16/513
靜電夾盤支持機構及支持台裝置及電漿處理裝置
三菱重工業股份有限公司
案號 0921196832003-07-18IPC C23C16/513
以電漿加強化學氣相沈積法沈積之聚合抗反射塗層
布瑞沃科學公司
案號 0921085442003-04-14IPC C23C16/513
氧化矽膜製作方法
安內華股份有限公司
案號 0911371662002-12-24IPC C23C16/513