IPC G11C11/00 專利列表
共 36 筆結果
快取記憶體資料完整性裝置、系統及方法
英特爾公司
案號 0931077472004-03-23IPC G11C11/00
磁性記錄元件及磁性記錄元件之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931077702004-03-23IPC G11C11/00
半導體記憶元件之啟動電路（一）
海力士半導體股份有限公司
案號 0931058352004-03-05IPC G11C11/00
半導體記憶裝置中之內電壓產生電路
海力士半導體股份有限公司
案號 0931057042004-03-04IPC G11C11/00
用於降低位址存取時間之半導體記憶裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0931057012004-03-04IPC G11C11/00
用於控制磁性記憶體中的寫入電流之方法與系統
惠普研發公司
案號 0931051152004-02-27IPC G11C11/00
用於管理可用記憶體資源之方法
艾穆勒斯設計及製造公司
案號 0931047722004-02-25IPC G11C11/00
用在一記憶體之可變再新控制
恩智浦美國公司
案號 0931040902004-02-19IPC G11C11/00
具有可變更新控制之記憶體及其方法
恩智浦美國公司
案號 0931037952004-02-17IPC G11C11/00
具有中繼器之記憶元件
海力士半導體股份有限公司
案號 0921367692003-12-24IPC G11C11/00
利用氧化層及電流引發熱之熱輔助磁寫
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921319522003-11-14IPC G11C11/00
多級記憶體元件與其程式設計及讀取方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921317592003-11-13IPC G11C11/00
降低的積體電路晶片漏電流及降低漏電流的方法
微軟技術授權有限責任公司
案號 0921315162003-11-11IPC G11C11/00
半導體記憶裝置及其控制方法
三星電子股份有限公司
案號 0921312382003-11-07IPC G11C11/00
非揮發性半導體儲存裝置
夏普股份有限公司
案號 0921310652003-11-06IPC G11C11/00
低待機電源半導體電路
艾特梅爾公司
案號 0921309012003-11-05IPC G11C11/00
可程式磁性記憶體裝置
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0921273282003-10-02IPC G11C11/00
磁電阻隨機存取記憶體
飛思卡爾半導體公司
案號 0921202232003-07-24IPC G11C11/00
具有電氣隔離寫入與讀取電路之磁阻隨機存取記憶體架構
艾爾斯賓科技公司
案號 0921176832003-06-27IPC G11C11/00
具有內建錯誤糾正能力之記憶體元件
旺宏電子股份有限公司
案號 0921172342003-06-25IPC G11C11/00