IP

IPC H01L21/00 專利列表

共 396 筆結果

半導體裝置,半導體裝置的製造方法及半導體裝置的測試方法

東芝股份有限公司

案號 0921338902003-12-02IPC H01L21/00

流體控制裝置

富士金股份有限公司

案號 0921336312003-12-01IPC H01L21/00

光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法

東芝股份有限公司

案號 0921336872003-12-01IPC H01L21/00

使用聚焦離子束於供物性失效分析之多層半導體中曝露所欲層之方法

華邦電子股份有限公司

案號 0921337512003-12-01IPC H01L21/00

電漿處理容器內構件

東京威力科創股份有限公司

案號 0921336022003-11-28IPC H01L21/00

磁電裝置及其製造方法

艾爾斯賓科技公司

案號 0921333592003-11-27IPC H01L21/00

基板之製造方法及所用之電漿處理室

瑞士商艾維太克股份有限公司

案號 0921333252003-11-27IPC H01L21/00

半導體製程流出氣流減少毒性氣體成分之方法及裝置

應用材料股份有限公司

案號 0921333142003-11-27IPC H01L21/00

電漿處理方法及裝置

東京威力科創股份有限公司

案號 0921332362003-11-26IPC H01L21/00

半導體結構、半導體裝置及其製造方法與裝置

液晶先端技術開發中心股份有限公司

案號 0921332542003-11-26IPC H01L21/00

基板處理裝置

東京威力科創股份有限公司

案號 0921330592003-11-25IPC H01L21/00

清潔被塗覆的製程處理室構件之方法

量子全球技術公司

案號 0921329552003-11-24IPC H01L21/00

具防止附著污垢之真空腔體裝置

聚昌科技股份有限公司

案號 0921327142003-11-21IPC H01L21/00

具夾層環形對稱抽氣的真空系統

聚昌科技股份有限公司

案號 0921327202003-11-21IPC H01L21/00

用以降低光阻劑厚度及通道電阻之導線及接觸孔形成方法

南亞科技股份有限公司

案號 0921326552003-11-21IPC H01L21/00

電漿處理裝置及電漿處理方法

東京威力科創股份有限公司

案號 0921326002003-11-20IPC H01L21/00

半導體記憶體元件及其製造方法

史班遜股份有限公司

案號 0921324192003-11-19IPC H01L21/00

金屬氧化半導體電晶體的製造方法與縮小閘極線寬的方法

旺宏電子股份有限公司

案號 0921322252003-11-18IPC H01L21/00

半導體裝置之製造方法

瑞薩科技股份有限公司

案號 0921322512003-11-18IPC H01L21/00

噴墨頭晶片結構及其製造方法

財團法人工業技術研究院

案號 0921320742003-11-14IPC H01L21/00

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。