IPC H01L21/3205 專利列表
共 56 筆結果
保護層的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921272672003-10-02IPC H01L21/3205
半導體裝置及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921268132003-09-29IPC H01L21/3205
電子裝置之製造方法
希普列公司
案號 0921262922003-09-24IPC H01L21/3205
在透明基板上設置導電層之方法
輔祥實業股份有限公司
案號 0921247952003-09-08IPC H01L21/3205
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921216762003-08-07IPC H01L21/3205
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921206382003-07-29IPC H01L21/3205
積體電路元件之重工方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921201852003-07-24IPC H01L21/3205
改善介電層沉積品質之製造方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921198852003-07-21IPC H01L21/3205
圖案形成基材及圖案形成方法
夏普股份有限公司
案號 0921182042003-07-03IPC H01L21/3205
進行局部薄膜沉積以修補顯示器面板上薄膜電晶體線路之方法
友達光電股份有限公司
案號 0921179992003-07-01IPC H01L21/3205
使用非晶碳層於改善光罩之製造方法
高級微裝置公司
案號 0921179232003-07-01IPC H01L21/3205
利用氫植入改善熱擴散製成之矽鍺於絕緣體材料之材料性質
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0921178002003-06-30IPC H01L21/3205
具有可靠性提高之互連線的半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921175942003-06-27IPC H01L21/3205
於矽基底上製造Ｓｉ１-ｘ Ｇｅｘ膜之方法
夏普股份有限公司
案號 0921168562003-06-20IPC H01L21/3205
導電薄膜形成的方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921158872003-06-11IPC H01L21/3205
矽化金屬層之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921157542003-06-10IPC H01L21/3205
金屬鑲嵌製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921157552003-06-10IPC H01L21/3205
形成阻障層的方法與結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921152172003-06-05IPC H01L21/3205
層排列之製造方法、層排列及記憶排列
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921131462003-05-14IPC H01L21/3205
藉電子束硬化低介電常數膜之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921126192003-05-08IPC H01L21/3205