IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
具有改良之接通電阻之溝槽式金屬氧化半導體場效電晶體裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0911337472002-11-19IPC H01L21/76
在半導體基底中形成窄溝槽之方法
通用半導體股份有限公司
案號 0911337442002-11-19IPC H01L21/76
絕緣層上有矽元件之結構
力晶半導體股份有限公司
案號 0911332242002-11-13IPC H01L21/76
形成具有垂直輪廓之絕緣間隙壁的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911332392002-11-13IPC H01L21/76
高深寬比之淺溝槽隔離物的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911330052002-11-11IPC H01L21/76
在快閃記憶體單元中形成自我對準浮動閘極之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330352002-11-11IPC H01L21/768
於半導體裝置中形成金屬線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330142002-11-11IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
考文森智財ＮＢ８６８公司
案號 0911327802002-11-07IPC H01L21/768
使用低介電常數材料膜之半導體裝置及其製造方法
倫巴士公司
案號 0911325562002-11-05IPC H01L21/76
具有金屬 - 絕緣體 - 金屬電容器的積體半導體產品
億恒科技公司
案號 0911324882002-11-04IPC H01L21/768
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911323702002-11-01IPC H01L21/768
製造半導體裝置之方法
新力股份有限公司
案號 0911323742002-11-01IPC H01L21/768