IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
改善積體多孔質層間電介體之犧牲層嵌入方法
高級微裝置公司
案號 0911360662002-12-13IPC H01L21/76
用於使Ｎ - 通道與Ｐ - 通道電晶體個別最佳化之差別間隔片之形成方法
高級微裝置公司
案號 0911360632002-12-13IPC H01L21/76
淺溝隔離之製造方法
矽統科技股份有限公司
案號 0911360552002-12-13IPC H01L21/76
深溝渠電容器及電阻器之同時形成
億恒科技公司
案號 0911359662002-12-12IPC H01L21/76
微連接器的結構與製作方法
詮興開發科技股份有限公司
案號 0911360722002-12-12IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911355112002-12-09IPC H01L21/76
包括含氮部份與含氧部份之分裂式障壁層
美商貝爾半導體公司
案號 0911354312002-12-06IPC H01L21/76
具有改良阻障層接著力之互連構造
高級微裝置公司
案號 0911352582002-12-05IPC H01L21/768
氮化矽記憶體元件及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911352522002-12-05IPC H01L21/76
後階段貫孔離散式電路元件及其製作方法
典琦科技股份有限公司
案號 0911351692002-12-04IPC H01L21/768
具有光罩可變反向通道之高頻高壓絕緣層上矽裝置及其形成方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0911346072002-11-28IPC H01L21/76
溝渠隔離結構之製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0911344512002-11-27IPC H01L21/76
半導體元件
富士通半導體股份有限公司
案號 0911343542002-11-26IPC H01L21/768
溝填製程
聯華電子股份有限公司
案號 0911342512002-11-26IPC H01L21/768
內連線結構及其形成方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911342252002-11-25IPC H01L21/768
銅內連線模型的建構方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911342332002-11-25IPC H01L21/768
消除銅侵蝕的方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0911341932002-11-25IPC H01L21/768
淺溝渠與深溝渠隔離結構的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341342002-11-22IPC H01L21/76
淺溝渠隔離結構之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911339212002-11-21IPC H01L21/76
低Ｋ值介電層之形成
佳康控股有限公司
案號 0911338692002-11-20IPC H01L21/762