IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
有效電介常數極低之互連結構及其製造方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921291682003-10-21IPC H01L21/768
以壓印技術製作微電容式超音波換能器之方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921290692003-10-21IPC H01L21/762
可避免寄生漏電流之溝槽電容器製程
茂德科技股份有限公司
案號 0921291132003-10-21IPC H01L21/76
用於避免條紋現象的形成溝槽之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921289962003-10-20IPC H01L21/76
半導體元件及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921288352003-10-17IPC H01L21/768
改良之接觸孔形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921287782003-10-17IPC H01L21/76
用於氣隙成形之形成鈍化層之方法及其結構
恩智浦美國公司
案號 0921287112003-10-16IPC H01L21/76
積體電路電容器結構
三星電子股份有限公司
案號 0921283912003-10-14IPC H01L21/768
製作淺溝渠隔離之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921283322003-10-13IPC H01L21/762
防止微粒子沉積於隔離基板的改良方法
崇越科技股份有限公司
案號 0921280892003-10-09IPC H01L21/76
半導體元件中之淺溝隔離結構形成方法
愛特梅爾公司
案號 0921280792003-10-09IPC H01L21/76
改善晶片邊緣剝離的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921279872003-10-08IPC H01L21/76
晶圓級封裝方法及結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921279882003-10-08IPC H01L21/76
製造半導體裝置之方法
新力股份有限公司
案號 0921278142003-10-07IPC H01L21/768
疊合標記之結構以及其形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921276302003-10-06IPC H01L21/76
多層互補式導線結構及其製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921275012003-10-03IPC H01L21/768
深溝渠式電容器及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921273862003-10-03IPC H01L21/762
氧化矽溝填製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921272692003-10-02IPC H01L21/76
金屬鑲嵌之製造方法及其結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921273432003-10-02IPC H01L21/768
內連線錯誤的改善圖案
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921272392003-10-01IPC H01L21/762