IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
用以改善雙鑲嵌結構積體電路特徵之製造的底部抗反射塗層成形
應用材料股份有限公司
案號 0921271022003-09-30IPC H01L21/76
同時製造各種尺寸之淺溝渠隔離結構的方法及其結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921269442003-09-30IPC H01L21/76
包含由填充隔離材料之溝道組成之場隔離區之矽本體之半導體裝置之製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921270142003-09-30IPC H01L21/762
以晶種層中之銅合金減少銅內連線中的空洞之方法
高級微裝置公司
案號 0921264462003-09-25IPC H01L21/768
銅鈍化界面具有較高濃度合金原子之銅內連線之形成方法
高級微裝置公司
案號 0921264422003-09-25IPC H01L21/768
蝕刻側壁的方法及藉由淺溝槽隔離製程於具有溝槽之基底上形成半導體結構的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921264542003-09-25IPC H01L21/76
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921263252003-09-24IPC H01L21/76
接合方法及裝置暨接合體
東麗工程股份有限公司
案號 0921263092003-09-24IPC H01L21/768
接合裝置及方法
須賀唯知
案號 0921260612003-09-22IPC H01L21/768
顯示裝置及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921260122003-09-19IPC H01L21/768
用以於深溝槽結構上形成淺溝槽之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921258332003-09-19IPC H01L21/76
一種溝渠電容的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921256662003-09-17IPC H01L21/76
用以防止通孔或雙金屬鑲嵌構造之銅污染之方法
艾基爾系統股份有限公司
案號 0921256482003-09-17IPC H01L21/768
一種動態隨機存取記憶體溝渠電容的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921256702003-09-17IPC H01L21/76
自行對準接觸窗開口的製造方法與自行對準接觸窗
南亞科技股份有限公司
案號 0921254632003-09-16IPC H01L21/76
一種製作瓶狀深溝渠之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921254012003-09-15IPC H01L21/76
布線構造
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921253232003-09-15IPC H01L21/768
氣隙形成方法
希普列公司
案號 0921251672003-09-12IPC H01L21/76
增加積體電路構裝密度之製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251512003-09-12IPC H01L21/76
可阻斷寄生損失電流之高功率射頻積體電路及其製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251552003-09-12IPC H01L21/76