IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
具擴散阻障層之閘極結構與製程
上海宏力半導體製造股份有限公司
案號 0921311922003-11-07IPC H01L21/762
移除深溝渠結構中半球形晶粒矽層之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921311352003-11-06IPC H01L21/76
銅金屬鑲嵌製程及其結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921311342003-11-06IPC H01L21/76
自行對準接觸窗開口與無邊界接觸窗開口及其形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921308942003-11-05IPC H01L21/768
形成凹槽閘極結構之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307772003-11-04IPC H01L21/76
可避免短路之自行對準金屬矽化物製程的處理方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308092003-11-04IPC H01L21/768
利用自行對準金屬矽化物製程形成多晶矽電容器之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307892003-11-04IPC H01L21/762
用以製造自行對準接觸窗結構之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307792003-11-04IPC H01L21/768
經共同植入後在中等溫度下分離薄膜之方法
原子能委員會
案號 0921307232003-11-04IPC H01L21/762
改善微笑效應之淺溝渠隔離結構的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308032003-11-04IPC H01L21/76
低介電常數薄膜的圖案化方法以及雙重金屬鑲嵌結構的製造方法
國立中山大學
案號 0921306802003-11-03IPC H01L21/76
銅製程銲墊結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921306192003-11-03IPC H01L21/768
包括低電介係數電介質之銅金屬化層用之改善阻障層
高級微裝置公司
案號 0921304422003-10-31IPC H01L21/768
具有混合電介層之可靠低Ｋ互連結構
萬國商業機器公司
案號 0921303222003-10-30IPC H01L21/768
半導體元件之製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921300642003-10-29IPC H01L21/76
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921300262003-10-29IPC H01L21/768
多層布線間之空洞形成方法
ＪＳＲ股份有限公司
案號 0921300232003-10-29IPC H01L21/768
加入應力圖案的隔離結構
萬國商業機器公司
案號 0921299082003-10-28IPC H01L21/76
金屬芯基體封裝
英特爾股份有限公司
案號 0921297882003-10-27IPC H01L21/768
淺溝渠隔離結構以及其製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921292252003-10-22IPC H01L21/76