IPC H01L21/8239 專利列表
共 58 筆結果
ＭＲＡＭ ＭＴＪ堆疊與導線對準方法
億恆科技股份公司
案號 0921219322003-08-08IPC H01L21/8239
共位元／共源線高密度-電晶體-電阻Ｒ-隨機存取記憶體陣列
夏普股份有限公司
案號 0921211432003-08-01IPC H01L21/8239
半導體記憶元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186782003-07-09IPC H01L21/8239
具有選擇電晶體結構與ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶體元件以及製造此元件的方法
三星電子股份有限公司
案號 0921185692003-07-08IPC H01L21/8239
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181662003-07-03IPC H01L21/8239
形成鐵電隨機存取記憶體之電容之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178272003-06-30IPC H01L21/8239
非揮發性記憶體之抹除方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921167802003-06-20IPC H01L21/8239
橫向相位改變記憶體裝置、系統及其製造方法
英特爾公司
案號 0921158442003-06-11IPC H01L21/8239
相位改變裝置、系統及方法
英特爾公司
案號 0921158462003-06-11IPC H01L21/8239
具有深溝渠式電容器之記憶元件的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156502003-06-10IPC H01L21/8239
形成鐵電記憶體胞元之方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921157712003-06-10IPC H01L21/8239
預防具有部分垂直通道之記憶單元之字元線及位元線短路的結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921148822003-06-02IPC H01L21/8239
具磁性材料層半導體元件之表面平滑導電層
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120462003-05-01IPC H01L21/8239
形成垂直式電晶體以及溝槽式電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921099752003-04-29IPC H01L21/8239
四位元記憶單元及其佈局
應用智慧股份有限公司
案號 0921095502003-04-24IPC H01L21/8239
在嵌刻結構中製造磁性隨機存取記憶體（ＭＲＡＭ）偏置胞元的方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921075622003-04-02IPC H01L21/8239
自對準可程式化相變化記憶裝置
旺宏電子股份有限公司
案號 0921072042003-03-28IPC H01L21/8239
插塞結構之電容器阻障
奇夢達股份有限公司
案號 0921064162003-03-21IPC H01L21/8239
於間距縮小製程中整合記憶胞陣列區與周邊電路區的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921061332003-03-20IPC H01L21/8239
嵌入式記憶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921044472003-03-03IPC H01L21/8239