IPC H01L21/8239 專利列表
共 58 筆結果
半導體記憶體元件之製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921022792003-01-30IPC H01L21/8239
一種鐵電層電極結構及製造方法
國立交通大學
案號 0921011642003-01-20IPC H01L21/8239
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380242002-12-31IPC H01L21/8239
快閃記憶體之製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0911376352002-12-27IPC H01L21/8239
具有位於資料層內之受控晶核點的磁性記憶體元件
惠普公司
案號 0911370482002-12-23IPC H01L21/8239
非揮發記憶元件
力旺電子股份有限公司
案號 0911365782002-12-18IPC H01L21/8239
具有磁場沉降層之磁阻儲存元件
惠普公司
案號 0911363732002-12-17IPC H01L21/8239
記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911362502002-12-16IPC H01L21/8239
分離閘極式快閃記憶體之製造方法及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911363142002-12-16IPC H01L21/8239
記憶體晶胞隔離技術
惠普公司
案號 0911362992002-12-16IPC H01L21/8239
使用蕭基特二極體之磁性隨機記憶體
海力士半導體股份有限公司
案號 0911362562002-12-16IPC H01L21/8239
多位元快閃記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911356282002-12-10IPC H01L21/8239
單一電晶體型隨機存取記憶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911348142002-11-29IPC H01L21/8239
快閃記憶體的結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911344142002-11-27IPC H01L21/8239
記憶體系統及其製法
三星電子股份有限公司
案號 0911341132002-11-22IPC H01L21/8239
快閃記憶體浮置閘極的製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911329822002-11-08IPC H01L21/8239
在磁阻隨機存取記憶體裝置中低功率程式化之窄空隙包層場效應加強
艾爾斯賓科技公司
案號 0911324002002-11-01IPC H01L21/8239
一種疊堆閘細胞元結構及其非和型快閃記憶陣列的製造方法
智源開發股份有限公司
案號 0911322302002-10-30IPC H01L21/8239