IPC H01L21/8242 專利列表
共 64 筆結果
預防動態隨機存取記憶體備份複熔絲側壁傷害之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921266012003-09-26IPC H01L21/8242
動態隨機存取記憶體製程及結構
茂德科技股份有限公司
案號 0921258662003-09-19IPC H01L21/8242
具單邊埋入帶之記憶體裝置的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921257032003-09-18IPC H01L21/8242
半導體記憶裝置及其控制方法
東芝股份有限公司
案號 0921257472003-09-18IPC H01L21/8242
垂直動態隨機存取記憶單元之隔離區的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921257062003-09-18IPC H01L21/8242
一種動態隨機存取記憶體溝渠電容的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921256682003-09-17IPC H01L21/8242
溝渠電容動態隨機存取記憶體的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921247542003-09-08IPC H01L21/8242
溝渠電容動態隨機存取記憶體的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921247572003-09-08IPC H01L21/8242
具有多重閘極電晶體之靜態隨機存取記憶單元及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921241712003-09-02IPC H01L21/8242
ＣＭＯＳ積體電路中基板與井區間產生低電阻歐姆接觸之方法
億恆科技股份公司
案號 0921238372003-08-28IPC H01L21/8242
半導體結構及其製造方法
美光科技公司
案號 0921234742003-08-26IPC H01L21/8242
部分垂直記憶單元的雙邊角圓化製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921227192003-08-19IPC H01L21/8242
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921222012003-08-13IPC H01L21/8242
動態隨機存取記憶體之記憶胞區與支援電路區的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921222032003-08-13IPC H01L21/8242
接觸孔形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921220902003-08-12IPC H01L21/8242
多位元垂直記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921217632003-08-08IPC H01L21/8242
半導體基材上具多數閘堆疊半導體結構之製造方法及半導體結構
億恆科技股份公司
案號 0921215832003-08-06IPC H01L21/8242
製造具有垂直裝置單元之圖樣化絕緣體上矽嵌入動態隨機存取記憶體之結構及方法
萬國商業機器公司
案號 0921204192003-07-25IPC H01L21/8242
溝渠式電容器之製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921200522003-07-23IPC H01L21/8242
防止ＤＲＡＭ熔絲側壁受侵蝕之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921163252003-06-17IPC H01L21/8242