IPC H01L21/8242 專利列表
共 64 筆結果
ＤＲＡＭ單元位元線及位元線接觸結構形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921162092003-06-16IPC H01L21/8242
一種製作垂直電晶體記憶體元件的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156132003-06-09IPC H01L21/8242
半導體積體電路裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921153792003-06-06IPC H01L21/8242
具有單邊埋藏帶之記憶胞的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921151862003-06-05IPC H01L21/8242
隔離式偶對位元氧氮氧快閃記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921148632003-06-02IPC H01L21/8242
形成冠狀電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146882003-05-30IPC H01L21/8242
具有部分垂直通道記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146982003-05-30IPC H01L21/8242
嵌入式記憶體之閘極製程及其閘極結構
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0921141202003-05-26IPC H01L21/8242
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921139602003-05-23IPC H01L21/8242
半導體基材上具多數堆疊之半導體結構之製造方法及對應半導體結構
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921140962003-05-23IPC H01L21/8242
溝槽式電容的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921126502003-05-09IPC H01L21/8242
具有部分垂直通道之記憶單元之主動區自對準製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921121022003-05-02IPC H01L21/8242
具有層狀閘極電極之半導體裝置的製造方法
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921076862003-04-04IPC H01L21/8242
半導體製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921058592003-03-18IPC H01L21/8242
升高電位產生電路及控制方法
愛爾蘭商經度授權有限公司
案號 0921037382003-02-21IPC H01L21/8242
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921030422003-02-14IPC H01L21/8242
一種製作ＤＲＡＭ之記憶單胞的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921005732003-01-10IPC H01L21/8242
半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921003372003-01-08IPC H01L21/8242
形成位元線接觸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911366902002-12-19IPC H01L21/8242
瓶型溝槽的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911358522002-12-11IPC H01L21/8242