IPC H01L21/8246 專利列表
共 48 筆結果
一種對半導體唯讀記憶體進行編碼之方法
智原科技股份有限公司
案號 0921149842003-06-03IPC H01L21/8246
非揮發性記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921150162003-06-03IPC H01L21/8246
一種將製作半導體永久性儲存唯讀記憶體產品交付期（ＴＡＴ）最小化之方法
智原科技股份有限公司
案號 0921132082003-05-15IPC H01L21/8246
多階記憶胞與其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921130482003-05-14IPC H01L21/8246
包含一具有記憶體電晶體及選擇電晶體的記憶單元的非揮發性記憶體之半導體裝置製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921122242003-05-05IPC H01L21/8246
一種系統整合晶片
旺宏電子股份有限公司
案號 0921097992003-04-25IPC H01L21/8246
調整罩幕式唯讀記憶體啟始電壓的方法以及罩幕式唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094662003-04-23IPC H01L21/8246
多位元罩幕式記憶單元及其製造方法與讀取的操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921092872003-04-22IPC H01L21/8246
製造氮化矽唯讀記憶體的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921083382003-04-11IPC H01L21/8246
應用於罩幕式唯讀記憶體編碼佈植之微影製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921082012003-04-10IPC H01L21/8246
虛接地陣列之混合信號嵌入式遮罩唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921078322003-04-04IPC H01L21/8246
具犧牲層的嵌入式非揮發性記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921078312003-04-04IPC H01L21/8246
自我對準多階虛接地罩幕式唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921070532003-03-28IPC H01L21/8246
唯讀記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921067412003-03-26IPC H01L21/8246
垂直式氮化物唯讀記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921055862003-03-14IPC H01L21/8246
非揮發性積體記憶體元件內之內多晶矽氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子層沈積作用
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921033422003-02-18IPC H01L21/8246
分離閘極式快閃記憶體元件之製造方法
笙泉科技股份有限公司
案號 0921019272003-01-29IPC H01L21/8246
罩幕式唯讀記憶體的製造方法及其結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921015552003-01-24IPC H01L21/8246
具有自行對準接觸窗之記憶體元件的製造方法及結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921014392003-01-23IPC H01L21/8246
偵測、識別與修正處理效能之方法
東京威力科創有限公司
案號 0911380482002-12-31IPC H01L21/8246