IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
非揮發性記憶體元件的製造方法及金屬內連線製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921364892003-12-23IPC H01L21/8247
半導體記憶裝置及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921342182003-12-04IPC H01L21/8247
資訊記憶元件，其製造方法及記憶體陣列
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0921335262003-11-28IPC H01L21/8247
於快閃記憶體內形成浮動閘之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331872003-11-26IPC H01L21/8247
快閃記憶體元件的製造方法及其結構
茂德科技股份有限公司
案號 0921329932003-11-25IPC H01L21/8247
利用斜角度離子注入之非揮發性記憶體的製作方法
私立中原大學
案號 0921328582003-11-24IPC H01L21/8247
非揮發性記憶單元以及相關寫入方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921310562003-11-06IPC H01L21/8247
快閃記憶體結構及其製作方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921309922003-11-05IPC H01L21/8247
非揮發性記憶體及其製造方法
國立中山大學
案號 0921306772003-11-03IPC H01L21/8247
反及閘型快閃記憶胞列、反及閘型快閃記憶胞陣列及其製造方法與操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921297182003-10-27IPC H01L21/8247
反及閘型快閃記憶胞列及其製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921293942003-10-23IPC H01L21/8247
凹陷捕獲型記憶體
應用智慧股份有限公司
案號 0921280972003-10-09IPC H01L21/8247
提昇源極線之電壓準位以程式化快閃記憶體的方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921280022003-10-08IPC H01L21/8247
具有分離之自行對齊選擇及刪除閘的快閃記憶體，及其製造方法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921274822003-10-03IPC H01L21/8247
單位元非揮發記憶胞元及其規劃與抹除方法
億恆科技股份公司
案號 0921269142003-09-29IPC H01L21/8247
多位元底切間隙壁型記憶單元及其製造方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921248002003-09-09IPC H01L21/8247
快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921245592003-09-05IPC H01L21/8247
提高快閃記憶體元件中閘極耦合比（ＧＣＲ）的製造方法及結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921246032003-09-05IPC H01L21/8247
具高位元密度的非揮發性快閃記憶體及其製造方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921243162003-09-03IPC H01L21/8247
具有分離式控制閘之雙浮置閘快閃記憶體及其製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921241512003-09-01IPC H01L21/8247