IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
半導體記憶裝置及其製造方法
史班遜股份有限公司
案號 0921240632003-08-29IPC H01L21/8247
快閃記憶體胞元及製造分離式側壁氧化之方法
億恆科技股份公司
案號 0921238362003-08-28IPC H01L21/8247
自動對準式非揮發性記憶體單元之製造方法
艾特梅爾公司
案號 0921232632003-08-25IPC H01L21/8247
整合快閃記憶體與高電壓元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921229252003-08-20IPC H01L21/8247
多位元垂直記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921226312003-08-18IPC H01L21/8247
多位元記憶單元及其製造方法及其操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921220432003-08-12IPC H01L21/8247
具有高介電常數頂端介電質的介電儲存記憶體單元及其方法
北星創新股份有限公司
案號 0921216382003-08-07IPC H01L21/8247
用浮置閘極退後製程以增進快閃記憶體中資料保持之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921212182003-08-01IPC H01L21/8247
半導體組件層結構方法及半導體記憶體
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921212392003-08-01IPC H01L21/8247
具溝渠排列記憶電晶體之記憶體胞元場製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921210672003-07-31IPC H01L21/8247
奈米晶體電子元件
艾特梅爾公司
案號 0921207812003-07-30IPC H01L21/8247
於矽絕緣基板上形成可程式唯讀記憶單元的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921203392003-07-25IPC H01L21/8247
非揮發性半導體記憶元件及製造方法
旭硝子股份有限公司
案號 0921200032003-07-22IPC H01L21/8247
非揮發性半導體記憶裝置之製造方法及非揮發性半導體記憶裝置
東芝股份有限公司
案號 0921198362003-07-21IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921194902003-07-17IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921194912003-07-17IPC H01L21/8247
快閃記憶體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921195172003-07-17IPC H01L21/8247
於一快閃記憶體裝置中形成一浮動閘極之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188502003-07-10IPC H01L21/8247
分離閘極快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921188322003-07-10IPC H01L21/8247
製造一快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921187112003-07-09IPC H01L21/8247