IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
EEPROM 結構之製造方法
艾特梅爾公司
案號 0921101242003-04-30IPC H01L21/8247
ＮＲＯＭ記憶胞元電路之製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921100692003-04-29IPC H01L21/8247
快閃記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921085062003-04-14IPC H01L21/8247
利用遮蔽式鳥嘴改善高密度快閃記憶體之穿隧氧化層邊緣之電崩潰的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921083262003-04-10IPC H01L21/8247
具有位元線隔離之記憶體製造方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921068832003-03-27IPC H01L21/8247
記憶體字線硬遮罩延伸結構
賽普拉斯半導體公司
案號 0921064722003-03-24IPC H01L21/8247
快閃記憶體之記憶胞結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921045542003-03-04IPC H01L21/8247
半導體記憶裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921040342003-02-26IPC H01L21/8247
快閃記憶體的結構及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921038712003-02-25IPC H01L21/8247
快閃記憶體之製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921033632003-02-19IPC H01L21/8247
一種可與標準邏輯製程相容之唯讀記憶體及其製作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921020682003-01-29IPC H01L21/8247
記憶體胞元製造方法及記憶體胞元構形
億恆科技股份公司
案號 0921017482003-01-27IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921015562003-01-24IPC H01L21/8247
具有尖角狀浮動閘極之溝槽型堆疊閘極式記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921009812003-01-17IPC H01L21/8247
隔離式疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011912003-01-17IPC H01L21/8247
具有一個高耦合比之疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011542003-01-16IPC H01L21/8247
雙位元漂浮閘細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011532003-01-16IPC H01L21/8247
形成快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380342002-12-31IPC H01L21/8247
多位元記憶單元及其製造方法及其操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0911376572002-12-27IPC H01L21/8247
具有高耦合比之快閃記憶體裝置及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911372152002-12-24IPC H01L21/8247