IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
記憶元件及製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911370812002-12-23IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364362002-12-17IPC H01L21/8247
具有改良耦合率之浮置閘極以及快閃記憶體的製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0911354062002-12-06IPC H01L21/8247
一種嵌入式記憶體的製作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0911346882002-11-29IPC H01L21/8247
半導體裝置
德塞拉先進技術公司
案號 0911331412002-11-12IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330332002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330132002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330392002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330362002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330342002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體胞之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911326642002-11-06IPC H01L21/8247
使用介電儲存元件的多態非揮發積體電路記憶體系統
桑迪士克科技公司
案號 0911321822002-10-30IPC H01L21/8247
快閃記憶體之浮置閘極的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921146782002-02-25IPC H01L21/8247