IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
製造非揮性記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921186022003-07-08IPC H01L21/8247
多位元底切型記憶單元及其製造方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921184352003-07-07IPC H01L21/8247
於反及型快閃記憶體裝置中形成選擇線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921179712003-07-01IPC H01L21/8247
記憶體製造方法
徐松睦
案號 0921178592003-06-30IPC H01L21/8247
分離閘極快閃記憶晶胞之字元線結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921173282003-06-25IPC H01L21/8247
可微縮化分閘式快閃記憶細胞元結構及其無接點分離式擴散位元線陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921152902003-06-05IPC H01L21/8247
嵌入式快閃記憶體元件的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921151822003-06-05IPC H01L21/8247
形成倍密式字元線的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921145462003-05-29IPC H01L21/8247
分離式雙位元氧氮氧快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921146222003-05-29IPC H01L21/8247
全自行排齊之分裂閘快閃ＥＥＰＲＯＭ之製造方法
徐松睦
案號 0921143772003-05-28IPC H01L21/8247
可微縮化疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921141222003-05-26IPC H01L21/8247
可微縮化多位元漂浮閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921138612003-05-22IPC H01L21/8247
ＮＲＯＭ記憶胞元配置之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921139012003-05-22IPC H01L21/8247
無場氧化絕緣架構快閃記憶體單元及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921136832003-05-21IPC H01L21/8247
可微縮化雙位元漂浮閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921136522003-05-20IPC H01L21/8247
具有一個高效能抵穿禁止區的疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921132812003-05-16IPC H01L21/8247
具有多發射電極的疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921128722003-05-13IPC H01L21/8247
具溝渠電晶體ＮＲＯＭ記憶胞元之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921130062003-05-13IPC H01L21/8247
可在高低電壓環境操作之單級可程式電氣抹除式唯讀記憶體的形成製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921126782003-05-09IPC H01L21/8247
疊堆閘非揮發記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921125122003-05-08IPC H01L21/8247