IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
形成鐵電記憶體胞元之方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921157712003-06-10IPC H01L21/8239
具有深溝渠式電容器之記憶元件的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156502003-06-10IPC H01L21/8239
一種製作垂直電晶體記憶體元件的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156132003-06-09IPC H01L21/8242
時序訊號之傳遞電路
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921153452003-06-06IPC H01L21/82
半導體積體電路裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921153792003-06-06IPC H01L21/8242
抑制虛設胞過度抹除的方法與裝置
旺宏電子股份有限公司
案號 0921153672003-06-06IPC H01L21/8246
具有單邊埋藏帶之記憶胞的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921151862003-06-05IPC H01L21/8242
可微縮化分閘式快閃記憶細胞元結構及其無接點分離式擴散位元線陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921152902003-06-05IPC H01L21/8247
嵌入式快閃記憶體元件的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921151822003-06-05IPC H01L21/8247
非揮發性記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921150162003-06-03IPC H01L21/8246
一種對半導體唯讀記憶體進行編碼之方法
智原科技股份有限公司
案號 0921149842003-06-03IPC H01L21/8246
預防具有部分垂直通道之記憶單元之字元線及位元線短路的結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921148822003-06-02IPC H01L21/8239
來自體型半導體之鰭式場效電晶體裝置及其形成之方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921149012003-06-02IPC H01L21/8238
隔離式偶對位元氧氮氧快閃記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921148632003-06-02IPC H01L21/8242
具有部分垂直通道記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146982003-05-30IPC H01L21/8242
形成冠狀電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146882003-05-30IPC H01L21/8242
形成倍密式字元線的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921145462003-05-29IPC H01L21/8247
分離式雙位元氧氮氧快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921146222003-05-29IPC H01L21/8247
包含鐵電式電容器之半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921145352003-05-29IPC H01L21/8229
在玻璃基板上製作單晶矽薄膜電晶體之方法
國立交通大學
案號 0921146252003-05-29IPC H01L21/8232