IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
全自行排齊之分裂閘快閃ＥＥＰＲＯＭ之製造方法
徐松睦
案號 0921143772003-05-28IPC H01L21/8247
半導體裝置
索思未來股份有限公司
案號 0921144472003-05-28IPC H01L21/82
嵌入式記憶體之閘極製程及其閘極結構
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0921141202003-05-26IPC H01L21/8242
可微縮化疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921141222003-05-26IPC H01L21/8247
半導體基材上具多數堆疊之半導體結構之製造方法及對應半導體結構
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921140962003-05-23IPC H01L21/8242
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921139602003-05-23IPC H01L21/8242
ＮＲＯＭ記憶胞元配置之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921139012003-05-22IPC H01L21/8247
可微縮化多位元漂浮閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921138612003-05-22IPC H01L21/8247
無場氧化絕緣架構快閃記憶體單元及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921136832003-05-21IPC H01L21/8247
ＣＭＯＳ影像感測元件的佈局
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921137362003-05-21IPC H01L21/8238
可微縮化雙位元漂浮閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921136522003-05-20IPC H01L21/8247
具有一個高效能抵穿禁止區的疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921132812003-05-16IPC H01L21/8247
一種將製作半導體永久性儲存唯讀記憶體產品交付期（ＴＡＴ）最小化之方法
智原科技股份有限公司
案號 0921132082003-05-15IPC H01L21/8246
多階記憶胞與其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921130482003-05-14IPC H01L21/8246
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921130552003-05-14IPC H01L21/82
具有多發射電極的疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921128722003-05-13IPC H01L21/8247
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921129252003-05-13IPC H01L21/8234
半導體元件
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921128772003-05-13IPC H01L21/822
具溝渠電晶體ＮＲＯＭ記憶胞元之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921130062003-05-13IPC H01L21/8247
具有重新對準射極之雙極電晶體的製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921128032003-05-12IPC H01L21/8226