IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
增進氮化矽唯讀記憶體之記憶胞保持力的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921175512003-06-27IPC H01L21/8246
唯讀記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921173752003-06-26IPC H01L21/8246
用於垂直電晶體之非對稱內間隔物
萬國商業機器公司
案號 0921172992003-06-25IPC H01L21/8234
具有二多晶矽層之嵌入式非揮發性記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921173292003-06-25IPC H01L21/8246
分離閘極快閃記憶晶胞之字元線結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921173282003-06-25IPC H01L21/8247
藉由植入Ｎ型與Ｐ型群聚離子與負離子製造互補金屬氧化半導體裝置之方法
山米奎普公司
案號 0921173242003-06-25IPC H01L21/8238
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921169672003-06-23IPC H01L21/8238
非揮發性記憶體之抹除方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921167802003-06-20IPC H01L21/8239
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921168522003-06-20IPC H01L21/8246
半導體元件之製造方法及半導體元件
夏普股份有限公司
案號 0921166612003-06-19IPC H01L21/8238
防止ＤＲＡＭ熔絲側壁受侵蝕之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921163252003-06-17IPC H01L21/8242
積體電路之陣列結構的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921164552003-06-17IPC H01L21/8246
ＤＲＡＭ單元位元線及位元線接觸結構形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921162092003-06-16IPC H01L21/8242
可改善元件特性之高壓元件製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921160862003-06-13IPC H01L21/8238
半導體元件
富士通半導體股份有限公司
案號 0921161132003-06-13IPC H01L21/822
混合式積體電路之溝渠式電容器的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921160872003-06-13IPC H01L21/82
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921159332003-06-12IPC H01L21/8234
相位改變裝置、系統及方法
英特爾公司
案號 0921158462003-06-11IPC H01L21/8239
橫向相位改變記憶體裝置、系統及其製造方法
英特爾公司
案號 0921158442003-06-11IPC H01L21/8239
唯讀記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921158082003-06-11IPC H01L21/8246