IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
製備半導體元件之電容器的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921356692003-12-16IPC H01L21/822
具有金氧半導體電容器之動態隨機存取記憶體單元及其製造方法
美格納半導體有限公司
案號 0921355402003-12-16IPC H01L21/8244
溝槽電容之製法
南亞科技股份有限公司
案號 0921351812003-12-12IPC H01L21/8242
使用井植入之積體電路改良
ＨＲＬ實驗有限公司
案號 0921352142003-12-12IPC H01L21/8238
非對稱性細胞式金氧半電晶體陣列
立錡科技股份有限公司
案號 0921353112003-12-12IPC H01L21/8238
動態隨機存取記憶胞陣列以及接觸窗的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921346562003-12-09IPC H01L21/8242
半導體裝置及用於製造半導體裝置電容器的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921343442003-12-05IPC H01L21/8239
自對準埋入帶及具有自對準埋入帶之垂直記憶單元的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921343152003-12-05IPC H01L21/8242
半導體記憶裝置及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921342182003-12-04IPC H01L21/8247
浮置閘極的形成方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921341472003-12-04IPC H01L21/8239
堆疊式金屬-絕緣體-金屬電容器及其製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921340732003-12-03IPC H01L21/8234
半導體積體電路及ＩＣ卡
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921340242003-12-03IPC H01L21/82
資訊記憶元件，其製造方法及記憶體陣列
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0921335262003-11-28IPC H01L21/8247
鐵電隨機存取記憶體電容器及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331462003-11-26IPC H01L21/8239
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921331552003-11-26IPC H01L21/82
於快閃記憶體內形成浮動閘之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331872003-11-26IPC H01L21/8247
光罩圖案偵測方法，偵測裝置，其所使用之偵測數據及偵測數據產生方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921331512003-11-26IPC H01L21/82
快閃記憶體元件的製造方法及其結構
茂德科技股份有限公司
案號 0921329932003-11-25IPC H01L21/8247
利用斜角度離子注入之非揮發性記憶體的製作方法
私立中原大學
案號 0921328582003-11-24IPC H01L21/8247
製造電容器排列之方法及電容器排列
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921329692003-11-24IPC H01L21/822