IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
快閃記憶體裝置之改良製造方法
美商英飛凌科技有限責任公司
案號 0931011412004-01-16IPC H01L21/8247
用以降低後段製程中紫外線引起之矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽（ＳＯＮＯＳ）雙位元快閃記憶體裝置充電的紫外線阻障層
賽普拉斯半導體公司
案號 0931011442004-01-16IPC H01L21/8247
形成非揮發性記憶胞的方法及有此記憶胞之記憶陣列
旺宏電子股份有限公司
案號 0931006442004-01-12IPC H01L21/8239
具有應變矽之高效能嵌式動態隨機存取記憶體技術
萬國商業機器公司
案號 0931001682004-01-05IPC H01L21/8242
埋入式溝渠電容器及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931000252004-01-02IPC H01L21/8242
半導體元件的形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921375822003-12-31IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921376562003-12-31IPC H01L21/8247
自動對準串／接地選擇閘結構及其無接點非及型快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921373832003-12-30IPC H01L21/8247
沿組成疊層側壁有介電間隙壁之非揮發性記憶元件及其形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372622003-12-29IPC H01L21/8247
記憶元件與記憶元件的記憶胞編程方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372632003-12-29IPC H01L21/8246
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372952003-12-29IPC H01L21/8247
用於製造具有改善再新時間之半導體裝置的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373242003-12-29IPC H01L21/8242
半導體儲存裝置及可攜式電子設備
夏普股份有限公司
案號 0921371432003-12-26IPC H01L21/8247
鐵電電容器之包封法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921370832003-12-26IPC H01L21/8239
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921371452003-12-26IPC H01L21/8247
偶對疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非及型快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921370032003-12-26IPC H01L21/8247
具有柱腳之非揮發性記憶體
茂德科技股份有限公司
案號 0921367282003-12-24IPC H01L21/8247
非揮發性記憶體元件的製造方法及金屬內連線製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921364892003-12-23IPC H01L21/8247
製造鐵電隨機存取記憶體的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921361412003-12-19IPC H01L21/8239
集成Ｎ型及Ｐ型金屬閘極電晶體
英特爾股份有限公司
案號 0921360172003-12-18IPC H01L21/8238