IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
具不對稱應變力之金氧半場效電晶體製造方法
劉致為
案號 0921327542003-11-21IPC H01L21/8234
具有電容器之半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921323922003-11-19IPC H01L21/82
電容器之製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921323342003-11-18IPC H01L21/8242
用於製造一半導體裝置之方法
美格納半導體股份有限公司
案號 0921319992003-11-14IPC H01L21/8242
Ｎ型金氧半電晶體與互補式金氧半電晶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921317642003-11-13IPC H01L21/8238
單一電晶體型隨機存取記憶體的結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921317682003-11-13IPC H01L21/8242
影像感測器元件的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921316262003-11-12IPC H01L21/8238
靜態隨機存取記憶胞結構及其製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921314762003-11-11IPC H01L21/8244
形成多重起始金屬閘極互補式金氧半導體技術的方法及製程
萬國商業機器公司
案號 0921312132003-11-07IPC H01L21/8238
非揮發性記憶單元以及相關寫入方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921310562003-11-06IPC H01L21/8247
雙電晶體ＮＯＲ閘裝置
格羅方德半導體公司
案號 0921308862003-11-05IPC H01L21/8226
快閃記憶體結構及其製作方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921309922003-11-05IPC H01L21/8247
包含絕緣閘極型場效電晶體之半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921309212003-11-05IPC H01L21/8238
在半導體製程中避免多晶矽縱樑形成之半導體結構
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308132003-11-04IPC H01L21/8246
光罩式唯讀記憶體之資料寫入方式
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307922003-11-04IPC H01L21/8246
非揮發性記憶體及其製造方法
國立中山大學
案號 0921306772003-11-03IPC H01L21/8247
調整記憶體單元臨界電壓之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921301792003-10-30IPC H01L21/8246
具有升起式源極與汲極結構之ＭＯＳ電晶體以及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921299932003-10-29IPC H01L21/8248
反及閘型快閃記憶胞列、反及閘型快閃記憶胞陣列及其製造方法與操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921297182003-10-27IPC H01L21/8247
氮化物唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921297332003-10-27IPC H01L21/8246