IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
反及閘型快閃記憶胞列及其製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921293942003-10-23IPC H01L21/8247
積體電路裝置及經由單接腳施加不同種類訊號至內部電路之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921291532003-10-21IPC H01L21/822
形成ＣＭＯＳ電晶體之方法
友達光電股份有限公司
案號 0921286302003-10-15IPC H01L21/8238
製造具應變的多層結構及具有應變層之場效電晶體之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921285122003-10-15IPC H01L21/8234
矩陣基板、電子裝置、光電裝置及電子機器
精工愛普生股份有限公司
案號 0921283222003-10-13IPC H01L21/82
具有減少的主動區域缺陷及獨特連接機制之半導體裝置
諾伯高點科技公司
案號 0921282882003-10-13IPC H01L21/822
包含多個具有不同間隙壁之場效電晶體的半導體元件結構
萬國商業機器公司
案號 0921283292003-10-13IPC H01L21/8232
凹陷捕獲型記憶體
應用智慧股份有限公司
案號 0921280972003-10-09IPC H01L21/8247
利用保護覆蓋以製造與封裝影像感測器晶粒之方法
美商豪威科技股份有限公司
案號 0921282012003-10-09IPC H01L21/8238
一種改善位元線接觸電阻值的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921280702003-10-09IPC H01L21/8242
提昇源極線之電壓準位以程式化快閃記憶體的方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921280022003-10-08IPC H01L21/8247
預留位元線接觸窗開口的製作方式
南亞科技股份有限公司
案號 0921278622003-10-07IPC H01L21/8246
電晶體結構之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921278802003-10-07IPC H01L21/8222
具有分離之自行對齊選擇及刪除閘的快閃記憶體，及其製造方法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921274822003-10-03IPC H01L21/8247
深溝渠式電容器的製造方法
長遼控股責任有限公司
案號 0921273822003-10-03IPC H01L21/8242
具應變通道之互補式金氧半導體及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921274052003-10-03IPC H01L21/8238
記憶體閘極結構之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921269232003-09-30IPC H01L21/8242
非揮發記憶體的結構與製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921267932003-09-29IPC H01L21/8229
單位元非揮發記憶胞元及其規劃與抹除方法
億恆科技股份公司
案號 0921269142003-09-29IPC H01L21/8247
鰭狀溝渠電容結構
南亞科技股份有限公司
案號 0921269002003-09-29IPC H01L21/8242