IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
圖案化電容器的方法及其所製造之電容器
因芬奈昂技術股份有限公司
案號 0921266972003-09-26IPC H01L21/8244
經單邊自行對準金屬矽化處理的金氧半導體元件與其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921266032003-09-26IPC H01L21/8234
預防動態隨機存取記憶體備份複熔絲側壁傷害之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921266012003-09-26IPC H01L21/8242
一種用於製造動態隨機存取記憶體（ＤＲＡＭ）及鐵電隨機存取記憶體（ＦＥＲＡＭ）的三維金屬絕緣金屬電容器之新穎方法
特許半導體製造公司
案號 0921265852003-09-26IPC H01L21/8242
半導體元件之源極阻抗的降低方法
富士通股份有限公司
案號 0921263992003-09-24IPC H01L21/8232
記憶體電路製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921261862003-09-23IPC H01L21/8229
晶片尺寸封裝之影像感測器
南茂科技股份有限公司
案號 0921261162003-09-22IPC H01L21/8238
動態隨機存取記憶體製程及結構
茂德科技股份有限公司
案號 0921258662003-09-19IPC H01L21/8242
垂直動態隨機存取記憶單元之隔離區的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921257062003-09-18IPC H01L21/8242
具單邊埋入帶之記憶體裝置的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921257032003-09-18IPC H01L21/8242
半導體記憶裝置及其控制方法
東芝股份有限公司
案號 0921257472003-09-18IPC H01L21/8242
快閃記憶體裝置的製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921256942003-09-18IPC H01L21/8239
抑制ＭＯＳＦＥＴ之漏電流的結構與方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921255772003-09-17IPC H01L21/8234
一種動態隨機存取記憶體溝渠電容的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921256682003-09-17IPC H01L21/8242
半導體積體電路裝置
村田製作所股份有限公司
案號 0921250552003-09-10IPC H01L21/82
電容器結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921249372003-09-09IPC H01L21/8239
唯讀記憶元件編碼中控制植入劑量之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921249502003-09-09IPC H01L21/8246
多位元底切間隙壁型記憶單元及其製造方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921248002003-09-09IPC H01L21/8247
溝渠電容動態隨機存取記憶體的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921247542003-09-08IPC H01L21/8242
溝渠電容動態隨機存取記憶體的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921247572003-09-08IPC H01L21/8242