IPC H01L27/108 專利列表
共 76 筆結果
具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法
億恒科技公司
案號 0921025392003-02-07IPC H01L27/108
半導體記憶元件
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921024742003-02-07IPC H01L27/108
半導體記憶體裝置
富士通微電子股份有限公司
案號 0921024362003-02-06IPC H01L27/108
減少晶片尺寸之半導體記憶體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921022242003-01-30IPC H01L27/108
降低程式化耗電之MRAM裝置中的磁軛結構及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921022982003-01-30IPC H01L27/108
具有改良電性質之記憶體元件
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921019562003-01-29IPC H01L27/108
溝槽式電容及其形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921017932003-01-28IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921015592003-01-24IPC H01L27/108
無電容單一電晶體動態隨機存取記憶體單元及製造方法
億恒科技公司
案號 0921014772003-01-23IPC H01L27/108
電荷貯存電極之形成方法
海力士半導體有限公司
案號 0911366862002-12-19IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與深溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911364162002-12-17IPC H01L27/108
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0911338002002-11-19IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911325462002-11-05IPC H01L27/108
半導體記憶體
日立製作所股份有限公司
案號 0911325122002-11-04IPC H01L27/108
具有溝槽式電容器之半導體記憶裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0911323722002-11-01IPC H01L27/108
半導體元件及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0911321972002-10-30IPC H01L27/108