IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
具有折疊式閘極之溝渠電容動態隨機存取記憶體
南亞科技股份有限公司
案號 0921173162003-06-25IPC H01L27/108
半導體記憶裝置及其製造方法、縱型金屬絕緣半導體場效電晶體之製造方法及縱型金屬絕緣半導體場效電晶體、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921173202003-06-25IPC H01L27/10
具有電容器之半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921167582003-06-20IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921167692003-06-20IPC H01L27/108
具有有效率地佈局之內部連接線的半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921165042003-06-18IPC H01L27/108
半導體記憶體裝置
東芝股份有限公司
案號 0921164062003-06-17IPC H01L27/105
半導體記憶體裝置及半導體裝置
東芝股份有限公司
案號 0921163772003-06-17IPC H01L27/10
一種單電晶體動態隨機存取記憶體結構、運作方法及其製造方法
楊皓然
案號 0921157862003-06-11IPC H01L27/108
一種製作動態隨機存取記憶體元件之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156122003-06-09IPC H01L27/108
增加電容值之溝槽型電容器製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146842003-05-30IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921146632003-05-30IPC H01L27/108
胞元組內記憶胞元之可變電容
億恆科技股份公司
案號 0921140992003-05-23IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921134572003-05-19IPC H01L27/108
淺溝渠隔離區與動態隨機存記憶體之結構及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921130442003-05-14IPC H01L27/108
互補式金氧半導體及其組合元件
友達光電股份有限公司
案號 0921127922003-05-12IPC H01L27/105
垂直電晶體之閘極介電層與埋入帶擴散區域及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921122112003-05-05IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921122192003-05-05IPC H01L27/108
動態隨機存取記憶體之結構及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921120992003-05-02IPC H01L27/108
記憶體裝置，其製造方法及其使用方法及半導體裝置及其製造方法
新力股份有限公司
案號 0921090582003-04-18IPC H01L27/10
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921089082003-04-17IPC H01L27/108